真空鍍膜設(shè)備主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

　　蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)，并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。 對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖程，最終形成薄膜。

　　蒸鍍儀常用的蒸發(fā)源有以下幾種：

　　1、電阻式蒸發(fā)源

　　采用高熔點(diǎn)金屬做成合適的形狀(如加熱絲、加熱舟、坩堝、盒狀源等)裝上待蒸發(fā)材料，對(duì)政法材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)。采用這種蒸發(fā)源的時(shí)候，對(duì)蒸發(fā)材料有以下幾點(diǎn)要求：

　　(1) 蒸發(fā)源材料的自身熔點(diǎn)要高；

　　(2) 飽和蒸汽壓要低；

　　(3) 化學(xué)性能要穩(wěn)定，且具有良好的耐熱性，熱源變化時(shí)，功率密度變化較小；

　　(4) 成本低；

　　(5) 蒸發(fā)源對(duì)膜材料的“濕潤(rùn)性”好。

　　電阻式蒸發(fā)源具有以下有點(diǎn)：第一，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、造價(jià)低廉，因此使用普遍；第二，常用來(lái)蒸發(fā)蒸發(fā)溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬，蒸發(fā)一些硫化物、氟化物和某些氧化物。

　　2、電子束加熱蒸發(fā)源

　　根據(jù)電子束蒸發(fā)源的形式不同，可以分為：環(huán)形槍、直槍、e型槍和空心陰極電子槍幾種。其具有以下優(yōu)點(diǎn)：

　　(1) 與電阻加熱源相比可以減少污染；

　　(2) 能量集中，使膜料局部表面受到很高的溫度, 而其它部分的溫度低。因而，可使高熔點(diǎn)(可以高達(dá)3000℃)的材料蒸發(fā), 且有較高的蒸發(fā)速率；

　　(3) 可以準(zhǔn)確、方便地控制蒸發(fā)溫度；

　　(4) 有較大的溫度調(diào)節(jié)范圍，對(duì)高、低熔點(diǎn)的膜料都適用，適用性寬，特別適合蒸鍍?nèi)埸c(diǎn)高達(dá) 2000℃左右的氧化物。

　　缺點(diǎn)：

　　(1) 通常蒸鍍的膜層較?。?/div>