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高通量薄膜制備技術(shù)研發(fā)

更新時間:2021-04-15      點擊次數(shù):1175
  材料對于推動生產(chǎn)力發(fā)展和社會進步起著舉足輕重的作用。關(guān)鍵材料的研發(fā)周期更是直接決定了相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展進程。隨著科技發(fā)展,對材料的功能和性能要求越來越高。傳統(tǒng)材料研發(fā)手段也越來越難以滿足現(xiàn)代社會生產(chǎn)發(fā)展的需求。以高溫超導(dǎo)材料為例,超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度高的材料往往組分結(jié)構(gòu)十分復(fù)雜。隨著組分增多,獲得準(zhǔn)確的組分依賴的相圖的工作量呈幾何級數(shù)增長。另外,采用傳統(tǒng)的實驗手段很難準(zhǔn)確合成并重復(fù)獲得到某個特定的組分,而這往往是研究量子相變,破解高溫超導(dǎo)機理的關(guān)鍵。
  材料基因組技術(shù)的出現(xiàn)為快速構(gòu)建準(zhǔn)確的材料相圖,縮短材料的研發(fā)周期帶來了希望。組合薄膜制備技術(shù)作為材料基因組核心技術(shù)之一經(jīng)歷了三個發(fā)展階段,即共磁控濺射技術(shù),陣列掩膜板技術(shù)和組合激光分子束外延技術(shù)。
  對于連續(xù)組分薄膜性質(zhì)的研究來說,實際的測量位置與樣品組分是一一對應(yīng)的,失去了位置坐標(biāo)就失去了組分的信息。因此,發(fā)展更加準(zhǔn)確的高通量薄膜制備和原位表征手段十分必要,并對包括超導(dǎo)材料在內(nèi)的多個前沿研究領(lǐng)域具有重要的意義。
  VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀,針對于高通量MGI(材料基因組計劃)薄膜的研究。特別適合用于探索固態(tài)電解質(zhì)材料,通過5種元素,按16種不同配比組合。

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